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有關(guān)介電常數(shù)介質(zhì)損耗實驗的測試目的、樣品制備、測試步驟介紹

更新時間:2025-06-03      點擊次數(shù):83

測試目的

測定絕緣材料在特定頻率和溫度下的介電常數(shù)(εr)和介質(zhì)損耗角正切值(tanδ),評估材料在高頻電場中的儲能能力和能量損耗特性,確保其符合國家標(biāo)準(zhǔn)(GB/T系列)及國際標(biāo)準(zhǔn)(ASTMD150)的要求。

樣品制備

1.尺寸要求:

固體材料:厚度1±0.02mm,直徑≥60mm(避免邊緣效應(yīng))。

薄膜材料:疊層至總厚度0.5mmGB/T5594.4要求)。

2.預(yù)處理:

清潔:用無水乙醇擦拭表面,去除污染物。

干燥:置于50°C真空烘箱中處理24小時(ASTMD150要求濕度<30%)。

恒溫恒濕:在23±2°C、50±5%RH環(huán)境下平衡48小時。

測試步驟(以硅橡膠為例)

1.電極安裝

采用接觸式電極(鍍金銅電極),施加5N壓力確保與樣品表面緊密接觸。

對于軟質(zhì)材料(如硅橡膠),使用液態(tài)電極(導(dǎo)電銀漿)避免機械應(yīng)力影響。

2.電容與損耗測量

設(shè)置LCR測試儀參數(shù):

頻率:1kHz、10kHz、100kHz1MHz(覆蓋GB/T1409全頻段)。

測試電壓:1Vrms(避免材料擊穿)。

記錄電容值(Cx)和損耗因數(shù)(D)。

3.介電常數(shù)計算

εr=frac

其中,(C0)為相同電極間距下的空氣電容值。

4.介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)

直接讀取LCR測試儀測得的損耗因數(shù)(D),即tanδ=D

5.溫度依賴性測試(GB/T1693要求)

將樣品置于恒溫箱中,在20℃、25℃、80℃下分別測量εrtanδ。



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